首页   当前位置:全部素材 > 规范图集 > 国家规范

GB/T12963-20145,2多品硅中的能主杂摄浓度.受主杂质旅度的测试按GB/T24574.GB/T24581或GB/T13389的规定站行。53多品雄少数载流子寿命测试拔GB/T553的规定进行」5.4多展科中碳荣度测试按GB/T1558.GB/T24581的规定逢行5.5多品硅中氧浓度哥试按GB/T1357的规定进行,55多风硅林你盒属杂爱浓度的测试方法州民需双方协向晚定5,7多品硅表面金属杂质浓度的阁试按GB/T24582的规定进行5,8多从硅禁瞬电阻率检验按GB/T4059的提定迁行.5.9多品硅基理电刚本检验按GB/T4060的规宽进行。5,10块软多昌球,佛状多根乱的尺寸及免许偏差用相应暂发的量其测量,成由供需双方意定的方法检验5.11多属硅某化夹M的检验按GB/T4061的规定进行.5.12多品硅的外观质量用目找检查。6检验规则6.1枚查和验段6.1,1产品应由侯方爱量监督部门进行检验,保适产品质量符合木标准及合同的规定,并城可产品质量证明书,6.12窖方可对收到的品进行校验。著料龄结果与木标在成合时的规定不蒋时,应在收到产品之日3个月内民步方共出由共商花方协海解逃,二6,2姐数产品应成批契交轮牧,每世应有同一牌号,具有相料韩度等饭和特性,以类似工艺生产并可追离生中华人起荷和国产条件的月一反应炉次的多品硅组成。国家标湘电子橙多品醋6.3检验项日HT126-2014每牡产甚皮避行蕉主杂质浓度、受丰杂质浓度,碳浓度,氧浓皮、尺寸及允许偏差、结牌,外观爱盆的检验。导电类里,少数载流予特会,电阳水,基体金属杂质浓度,表南金属余质浓度的检验山供需双方中国际在出版社出复发行其桌市朝附区和平城门街甲2号(1009》协商。E京市N线区旦型闲影每16号(1008456.4取样与制料同址www,p,net,cmB室,(010)64275323发行中6,(010)51782256.4.1供方取样,制样时,琴说电阳水,暴醇电风米的取样,制样按G/T4059,G8/T4060麦行,断面浅养盟务易:(010)68523946中四林准出製杜奏型岛印打"中国氧化突层取样,制样按B/T061进行。种裁轴样方案山供需双方商定。X地正伟图经项6.42导电类量,薰卡染质浓度,受丰杂爱浓度,少数载流子春命,碳浓度,氧浓度.尺寸及允诈偏差,外观质量,摇体金属弟质含量,表面金属杂爱常量的取样由供需双方协商确定。并本80×12301/16.每年0.5字数8千75年1月第一05年1月第一次的国6.5校验结暴的判定书时,15以66,150708定价14.00兄651多品硅的等摄由葱丰杂质浓疫,受主杂质浓成,碳放度.家嫩度,表南金阔杂爱浓度,基体金撼染爱浓度判定。在利定明情中著检验结果有一项不合格,调加等取样对该不合格的项H进行熏复松检。对重复试验结果仍不合格的产品,则判该壮产品不合格。如有印装整错由本社发行中心闭换质权专有侵权必究6.52导电类型、少数载瓷子寿命,电水,尺寸及允许偏差,结构,外戏质量检验靖果的判定由供有双举报电话:(010)68510107方协商确定。興尚理阿Z1
GB/T12963-2014GB/T12963-2014的差别分为3级,4.2等极前言电予极多精硅的等级及相关技术指标应符合表1的规定,表1电子极多品硅等极及技术要求本标泰按赋GB/T1.1一2009给出的煤衡起草,木标虚代整GB/T129632009硅多丛)。术标准与GB/T129532009相比.主要打如下卖动:技术想标要球夷0一增加1引用国家标准GB/T1551.GB/T1557,GB/T24574,GB/T24581,GB/T245s2(见第2电子1级电子2级电手3模章),推主索横缘度,≤0,15<0,25<>≤0,30一增加了多品硅的技术参数,但杯城主杂质浓度,受主杂质旅度,氧旅度、基体金属杂质浓度,表受上牵属装度,10≤0.04≤0,0tG0.10面金离杂质浓度的要求(见表1):少数校规子海命不门等级多系辞的呢浓度出<1,5X10“aems/em.<2X10“n0ms/em',<2×10<>>1090>1000>309atoms /cm'.0x1o atoms /cm'.<1.0X10M atoms /em',<1.5x10 atoms /cm'程神度(见表1》.<4.0x10<><1.0×10"<>MoRNcm'特性意术文件的某些内容可能涉及专利。木文件的发有机构不京细识别这些专利的贵任。氧荣度本标准内全国半导休设备和材料标准化教术委员会(SAC/TC203)和全闲单导体设备和材料标准G1×10"Mon/em化技术委员会材韩分会(8AC/T℃203SC2D共同模出并归,Fe.Cr.Ni.Cu.Zn.NaFe.Cr.Ni.Co.Zn.NaFe.Cr.Ni.Cu.Zn.Na本标左起草单位:城帽中导体材料研究所,四川新光硅业科技有限责任公罚、有研半导体材料段份4林金可会黄限度.0叫显会属所楚含量,19早金器杂爱含量,G1.5只会器杂减青景:≤之0有限公司,江苏中绪硅业科技发展有限公司,新特能原服份有限公可,洛和巾硅高科接有限公可。e.C.5,心.m.A.K.C.Cm.Al.K-8..CcN团aN本标冻起草人答科稀想,染常,整亚文梁满,利满,刘晓蓝,银被,甘新业,严大洲,表国金减命质然度,10总金得条质含盘<总全碧亲减合量,0好十e盈杂碳含量区<>本标漆所代苦标需的历次教不发布情配为:度,电限率得出供需双方协有确定,GB/T429631991、GB/T42963996.6B/T129632009.43尺寸及允许偏差43.1块找多品硅界有无缓则的形状知孩机尺寸分布,其线性尺寸最小为6压m,最大为150mm。4.3.2块较多易醉的代寸分布范国皮满是,)6mm一25m的最多占重量的15%:b)25mm一50mm的占重量的15%一35?:c)50mm一150mm的业少占重坐的65%,433块状多易陆的具体尺寸要求可出供需双方协商精定。43.4精状多品硅的直径及长度由候害双方协商确定,其直径允许偏差≤5站,4.4结构多热硅应无氧化夹层4.5外观厌量45.1多品硅表面结构应取密,平整(断面边候履粒不大于3mm)。45.2多甚硅的外观应无色宽,变色及可见的污染物5试验方法5.1多品柱导电类型检验按G书/T1550的规定进行。2理甄素前网Z.ZC.ET
评星:
  • 0
  • 0

作品评论(0)

登录 后参与讨论
相关推荐:
本站所有资源由用户上传,仅供学习和交流之用;未经授权,禁止商用,否则产生的一切后果将由您自己承担!素材版权归原作者所有,如有侵权请立即与我们联系,我们将及时删除
浏览:172 次数:0
下载:免费下载 收藏:0
等级:
编号:209838 0
文件格式:pdf文本
文件大小:421.52KB
投稿:1001 进入
上传时间:2022/8/26 4:37:57
如有侵权请联系删除

您可能在找这些:

网站首页 典尚平台 建筑素材 三维模型 室内装修 视频素材网 上传教程 帮助中心 热门搜索 版权申明 关于我们 联系典尚

Copyright © 2000-2020 www.jzsc.net.粤ICP备07047611号 All Rights Reserved.

客服QQ:609470690 客服电话:0755-83549300 深圳市典尚风设计有限公司

Copyright© 2016典尚平台 JZSC.NET

网站推荐使用腾讯、Chrome浏览器浏览,不推荐360,很卡

粤公网安备 44030302000908号

QQ咨询
推广分享
×
复制本页url网址

推广详情

如您已登录,分享网址将自动加载您的推广编号,您将获得2元/注册用户的奖励。

推广记录  积分记录

网站首页
回顶部